1.双极型晶体三极管的结构

学会区分P管和N管，会绘制符号

2.工作原理

无论是PNP 还是NPN，本质上放大时，都是发射结正偏，集电极反偏。（可以简单理解为pn为二极管，每个三极管都有两个二极管）

其中电流关系：P管，两进一出；N管，两出一进

3.特性曲线

放大区，饱和区（均正偏），截止区（均反偏）

其中饱和区，UCES=0.3V

4.主要参数

1.静态工作点Q
  UBQ、UCEQ、ICQ
2.放大倍数β（分直流和交流放大系数）
  IC＝β*IB
3.最大集电极电流ICM

  晶体管集电极所允许通过的最大电流，当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至损坏。 
4.集电极最大允许耗散功率PCM

5.增益带宽积（随着工作频率的升高，放大倍数会下降．）

  晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。它与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系，晶体管使用时，其实际耗散功率不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
6.CE间击穿电压U(br)CE

  指晶体管在工作时允许施加的最高工作电压，它包括集电极-发射极反向击穿电压、集电极-基极反向击穿电压和发射极-基极反向击穿电压。

7.反向漏电流

包括集电极-基极之间的反向电流ICBO和集电极-发射极之间的反向击穿电流ICEO。

ICBO也叫集电结反向漏电流，是当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流，ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

ICEO是当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也叫穿透电流。此值越小，说明晶体管的性能越好。

5.常见题型

1.放大时，标明三个引脚电压，判断cbe及管类型

2.标明三个引脚电压及管类型，判断处于什么工作状态

3.给出IC和IB电流变化求增益宽带积

参考文献：清华大学华成英老师的模电PPT

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